■CNT(カーボンナノチューブ)-TFT
　 ボトムゲート・ボトムコンタクト型
　 ボトムゲート・トップコンタクト型

■ZnO系酸化物TFT
　 トップゲート・ボトムコンタクト型
　 ボトムゲート・トップコンタクト型(バックチャネルタイプ、透明バックチャネルタイプ)

プリンタブルTFTの製造プロセス(各論)
■ゲート電極形成プロセス
　 表面改質プロセス、導電性ポリマー印刷プロセス、メタルインク・ペースト印刷プロセス、表面改質〜メッキ選択成膜プロセス

■ゲート絶縁膜形成プロセス

■半導体層形成プロセス
　 表面改質プロセス、半導体形成プロセス(有機半導体層、CNT半導体層、ZnO系半導体層)

■ソース/ドレイン形成プロセス
　 表面改質プロセス、導電性ポリマー印刷プロセス、メタルインク・ペースト印刷プロセス、CNTソース/ドレイン形成プロセス、表面改質〜メッキ選択成膜プロセス

■パッシベーション＆コンタクトホール形成プロセス
　 有機パッシベーション形成プロセス、有機＆無機パッシベーション形成プロセス、ポリマーライクパッシベーション形成プロセス

■画素電極形成プロセス
　 透明導電材料を用いる場合、反射メタル材料を用いる場合、塗布型材料(導電性ポリマー、CNT、ナノAg)を用いる場合

■アニール処理プロセス
　 ポストアニール法、レーザーアニール法

■フレキシブル基板製酸化物TFT作製における注意点
　・加工されたフレキシブルサブストレートを用いる場合
　・元基板にTFT＆デバイスを作製した後、プラスチックフィルムに転写する場合
　・支持基板に樹脂膜を塗布・硬化後、TFT＆デバイスを作製し、支持基板をリリースして樹脂膜を基板に用いる場合

▲パッシベーション＆プラナリゼーション形成プロセス